好好利用btc作業系統時，
系統的聲音再次響起。
【叮……！】
【額外獎勵！】
【恭喜宿主完成隱藏任務：登上熱搜榜第一名，獲得特殊獎勵——】
【u3高速讀寫tf記憶體卡生產圖紙一張，品質：良好（b級），可下載。】
【3d nand(多層數儲存的快閃記憶體型別)——cjiang架構專利技術，品質：優秀（a級），可下載。】
竟然還有隱藏獎勵。
莫燃微微一愣，隨即注意力轉移到眼前的兩個獎勵上來。
不過，看到第一個獎勵時他情不自禁的搖頭笑了笑。
竟然獎勵了一個tf記憶體卡的生產圖紙。
他是知道的，最近因為“尼采x1”的出現，網路上引起了不少關於tf記憶體卡的爭論。
而“尼采x1”作為一款“可擴充套件tf記憶體卡”的手機，自然被捲入這場旋渦，成為tf記憶體卡的代言人。
甚至，這些天他也在考慮要不要出廠時每部手機贈送一塊記憶體卡。
沒想到現在系統竟然給了他一份tf記憶體卡的生產圖紙，這難道是在預示著讓尼采進軍tf記憶體卡界？
自產自銷？
倒也不是不可以。
略微感慨的笑了笑，不過等他看到第二個獎勵時，有些懵了。
首先。
3d-nand是什麼？
莫燃也沒著急，隨即退出系統在網路上搜尋了一下。
原來。
3d-nand是一種新興的快閃記憶體型別（儲存型別）。
傳統的記憶體卡大多是使用2d-nand的方式，也就是透過2d平面的方式將記憶體顆粒有序排列，最終制造生產成為一張張比如2gb、4gb、8gb的記憶體卡。
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2d平面結構的設計導致空間比較小，記憶體卡的儲存容量也就相應比較小，經過這麼多年研發後2d-nand方案已經基本達到了擴充套件極限。
而3d-nand則不同了。
簡單的說。
3d-nand是一種全新的快閃記憶體設計理念，將以前的2d平面設計變成3d設計，從而可以在平面上不斷的增加層數、增加記憶體晶片的數量，從而製造出更大容量的記憶體卡。
就好比以前的2d是一棟棟小平房，
現在的3d則是在小平房上蓋起三四十樓的高樓大廈一樣，儲存的容量加大，讀寫速度加快、耐用性大幅度提高，甚至，每千兆位元組的成本也大幅下降。
最令莫燃驚喜的是，
放眼全球，
“3d-nand”快閃記憶體設計也就僅僅只有三星電子、英特爾和全球最大的半導體儲存製造商——鎂光有一點點成果！
而國內！
“3d-nand”新一代快閃記憶體晶片完全是一片空白！
可以說，
如果第一個獎勵是讓尼采公司可以利用生產圖紙生產一款“u3高速讀寫的tf卡”。
那麼，第二個獎勵，
無疑是讓尼采獲得了全球最新“3d-nand”快閃記憶體下的“cjiang架構專利技術”。
接下來，尼采完全可以組建研發團隊，利用“cjiang架構”大力研發出更多3d-nand的新興儲存產品！
比如tf記憶體卡、比如u盤，比如固態硬碟！
甚至。
完全可能成為鎂光、三星、西部數碼這些大型國際廠商的競爭對手，彌補國產廠家在記憶體卡、固態硬碟上長期的空白！
這是拿到了記憶體晶片行業的入