復十多次的光刻、刻蝕、烘焙、塗膠等一系列工藝過程，透過這一系列的過程把電路印至到矽片上，就讓光刻膠的應用變得非常重要了。 隨著半導體制程不斷提升，從微米級到奈米級的演進，光刻膠的波長也從紫外寬譜延伸到了g線(436nm)、i線(365nm)、krf(248nm)、arf(193nm)和euv(13.5nm)的製程。 相應的光刻膠成分也要發生變化，因為像曝光波長越短對光刻膠的技術水平要求就越高，其所適應的積體電路的製程就會越先進，不同光刻波長所應用的光刻膠成分也是不同的。這章沒有結束，請點選下一頁繼續閱讀！